DDR内存识别
DDR内存识别DDR内存顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。
目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度，这就要求用户学会怎样识别假冒内存的规格和内存芯片编号。一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面就举例说明内存编号上代表的信息。
二、内存编号
现代DDR内存
随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
1: HY代表是现代的产品
2：内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3：工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4：芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5: 代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6：BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7：I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8：芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9：代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10：内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11：工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
三星DDR内存
三星的DDR内存目前在市场上的销量算是比较大的，搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思。
1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的
2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM
3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V
5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit
6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]
7、表示内存排数：3：4排、4：8排
8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V)
9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)
10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)
Micron DDR内存
Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
1、MT代表Micron的产品
2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus
3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
8、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA
9、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）
10、代表功耗：L=低耗，空白=普通
TOSHIBA DDR内存
1、TC代表是东芝的产品
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
7、代表封装：FT为TSO II封装
8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
9:、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
宇瞻DDR内存
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
5、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
6、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
7、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
三、结尾
以上只是举例了几种市场里能够找到的内存条颗粒，此外还有很多不同品牌、不同编号的内存颗粒，笔者在这里就不一一举例说明了。实践是检验真理是否正确的唯一标准，所以说再多、看再多也是没有任何用处的，还需要朋友们亲自到市场里去实践。 内存品质 细微方能体现
现在市面上的内存条品种不少，见得多了好像都一样，没什么区别，但真正从细微点滴之处考量，内存其实并不一般。实际上，内存的真正品质也正是着这些细微之处所体现出来的。
1、金手指工艺
金手指实际是在一层铜皮（也叫覆铜板）上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金不易被氧化，超强的导通性。内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其工艺则显得相当重要，同时要耗费一定量的贵重金属——黄金，是内存成本的敏感部分。
金手指的金层大致有两种工艺标准：化学沉金和电镀金。在目前市面销售的绝大多数内存的金手指金层都是采取化学沉金，化学沉金的原理是采用含金的特殊化学溶液，通过化学反应的形式将同溶液中离子态的金转化成原子态的金，也就是常见的黄金，原子态的金在铜皮表面附着，金原子越积越多，沉积在铜皮表面就形成金层，通过这种成金工艺，金层的厚度一般在3-5微米，很薄，很多优质内存的可能达到6微米，但因工艺限制，最后金层也不会超过10微米。这层薄金在安装过程与插槽很容易因磨擦而脱落，受损后的金层裸露在空气中，日积月累，特别是电流和高温的作用下，很容易在空气中被氧化，氧化层形成并不断扩展，而氧化物的导电性很差，从而造成数据流、电子流的不正常传输，自然系统的稳定性降低。
另一种成金方式，是电镀金。电镀金是在含金电解液中的正极凝集，只要保证正负极存在，金的积淀就会持续下去，原理上金层厚度可以无限。金层厚度增加，在使用中能有效抗摩擦破损，防止氧化层产生，保证金手指与接触部位的良好导通性，因此这项奢侈工艺对系统稳定性非常有益。
2、PCB板工艺
DRAM和很多辅助元件、集成电路都在小小的一块PCB板上，PCB的质量优劣对整块内存的影响可见一斑。
PCB板主要由铜皮（覆铜板）和玻璃纤维组成，内存用PCB一般分四层和六层，也就分别有4层或6层铜皮，铜皮作布线、接插元器件并防静电屏蔽之用，每片铜皮之间填充玻璃纤维。那么决定PCB质量优劣的因素主要有哪些呢？铜皮层数（也即PCB板层数）、铜皮质量是关键。
其中，铜皮层数（也即PCB板层数）越多，电子线路的布线空间会更大，密密麻麻的线路将能得到最优化的布局，这就能有效的减少电磁干扰和不稳定因素。在运行过程中，伴随内存高速的数据交换存在强大的电子流，形成电子噪音，如果层数的增多，相应电磁屏蔽的效果就会更明显，这就进一步加强了稳定性。因此，6层PCB在其他方面都相同的前提下，肯定要比4层PCB稳定的多。
那么，铜皮的质量又是怎么产生影响的呢？一般情况下，铜皮的表面越光滑，厚度约均匀对稳定性的贡献越大。相反，产生很大阻抗，稳定性就不能得到有效保证。一般来说名厂在铜皮的质量上都有严格的标准，阻抗值不得超过10Ω。
3、焊接工艺
焊接工艺似乎很简单，不就是将焊锡在连接点凝固，使得线路导通吗？道理确实不过如此，当是关键问题在于随随便便的焊接一下能否保证焊点的牢固，虽经年累月、磕磕碰碰都不松动脱落，是否能保证焊点处良好的导通性，不因为接触不良而影响正常工作，不产生接触电阻？因而，焊接的学问并不简单，焊接工艺也在品质方面起到至关重要的作用。
焊接工艺中，焊锡的质量是重要因素。锡熔点低、不易腐蚀，是优良的焊接剂。但是锡也分等级，高等级锡在纯度、配比、锡球数量和大小以及相应的熔点温度上都表现不俗，值得一提的是锡球，锡在经过提纯后会经过特殊粉碎工艺将块状锡磨成极细小的锡球，再将锡球根据需要熔铸成各种形状，例如焊条等。在回炉焊中，锡球越细就越容易吸收热量，融化的更透彻，自然焊接就越紧密，不会出现虚焊现象。众所周知，真正在焊接时采用的并非纯锡，为了保障焊接速度和质量需添加助焊剂（一般为液态松香）和凝固力较好的铅等重金属，严格按照一定配比在双转向离心搅拌机中充分搅拌均匀，焊接的每一个环节都细致入微，分分见真功，很多高品质内存都始终从点滴入手，作出精品的。
内存，PC数据存储交换的关键所在，动品质一发而动全PC系统，要想鉴别真正的高品质内存，要尽量往小处看，往细微之处深究。
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